ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры

Название англ.: Semiconductor photoemitters. Main parameters

Содержание госта: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров


ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры (фото 1 из 4)
ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры (фото 2 из 4)
ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры (фото 3 из 4)
ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры (фото 4 из 4)

Похожие документы

  • ГОСТ Р 52742-2007 Каналы и тракты звукового вещания. Типовые структуры. Основные параметры качества. Методы измерений
  • ГОСТ Р 52722-2007 Каналы передачи цифровых телевизионных сигналов аппаратно-студийного комплекса и передвижной телевизионной станции цифрового вещательного телевидения. Основные параметры и методы измерений
  • ГОСТ 8713-79 Сварка под флюсом. Соединения сварные. Основные типы, конструктивные элементы и размеры
  • ГОСТ Р 52577-2006 Дороги автомобильные общего пользования. Методы определения параметров геометрических элементов автомобильных дорог
  • ГОСТ Р МЭК 60601-2-7-2006 Изделия медицинские электрические. Часть 2-7. Частные требования безопасности к рентгеновским питающим устройствам диагностических рентгеновских генераторов
  • ГОСТ Р 52074-2003 Интерфейс магистральный последовательный системы электронных модулей. Тестирование серийных образцов интерфейсных модулей, функционирующих в режиме контроллера шины. Общие требования к методам контроля