ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции

Название англ.: Optoelectronic integrated microcircuits and optocouples. Methods for measuring of critical change rate of dielectric voltage

Содержание госта: Настоящий стандарт распространяется на оптоэлектронные интегральные микросхемы и оптопары, в том числе переключатели логических сигналов, и устанавливает два метода измерения критической скорости изменения напряжения изоляции: прямой и косвенный.
Косвенный метод применяют при наличии вывода от входа встроенной микросхемы, входящей в состав проверяемого прибора


ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции (фото 1 из 6)
ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции (фото 2 из 6)
ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции (фото 3 из 6)
ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции (фото 4 из 6)
ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции (фото 5 из 6)
ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции (фото 6 из 6)